ANSI/IEEE C62.37.1-2000 半导体闸流管电泳保护设备应用指南

作者:标准资料网 时间:2024-05-11 04:06:28  浏览:8100   来源:标准资料网

【英文标准名称】:GuidefortheApplicationofThyristorSurgeProtectiveDevices
【原文标准名称】:半导体闸流管电泳保护设备应用指南
【标准号】:ANSI/IEEEC62.37.1-2000
【标准状态】:作废
【国别】:美国
【发布日期】:2001-01-08
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国国家标准学会(US-ANSI)
【起草单位】:IEEE
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:半导体;电压保护;半导体闸流管
【英文主题词】:Definition;Definitions;Electricalengineering;Overvoltageprotection;Semiconductordevices;Semiconductors;Specification;Thyristors;Voltageprotection
【摘要】:AppliestothyristorSurgeProtectiveDevices(thyristorSPD)componentsusedinsystemswithvoltagesupto1000Vrmsor1200Vdc.Thesecomponentsaredesignedtolimitovervoltagesanddivertsurgecurrentsbyvoltageclampingandcrowbarring(switchingtoalowimpedance)actions.
【中国标准分类号】:L43
【国际标准分类号】:29_120_50;31_080_20
【页数】:
【正文语种】:英语